transistor hiệu ứng trường câu

• Vào năm 1934, nhà vật lí người Đức Oskar Heil lại đăng kí sáng chế một transistor hiệu ứng trường khác.
• Bằng sáng chế của Dennard ở Hoa Kỳ, cho công nghệ, được cấp năm 1968, có tiêu đề "Bộ nhớ Transistor hiệu ứng trường".
• Khi transistor hiệu ứng trường, họ thậm chí không có thể cần ap-n ngã ba, [ 69 ] do đó tránh các vấn đề pha tạp loại p-ZnO.
• Transistor JFET là transistor hiệu ứng trường cổng nối (junction gate field-effect transistor), là loại đơn giản của transistor hiệu ứng trường.
• Transistor JFET là transistor hiệu ứng trường cổng nối (junction gate field-effect transistor), là loại đơn giản của transistor hiệu ứng trường.
• Lần đầu tiên được sản xuất năm 1963 transistor hiệu ứng trường có lợi thế rất lớn trong đó các cửa khẩu tiêu thụ hầu như không có hiện tại.
• Không giống như trạng thái cắt, thuật ngữ "điện áp ngưỡng" là rõ ràng và đề cập đến cùng một khái niệm trong bất kỳ transistor hiệu ứng trường nào.[3].
• transistor được xây dựng từ các vật liệu khác: transistor graphene, transistor molybdenit, ống nano cacbon transistor hiệu ứng trường, gallium nitride transistor, transistor giống như các thiết bị điện tử dây nano, hữu cơ transistor hiệu ứng trường, vv
• transistor được xây dựng từ các vật liệu khác: transistor graphene, transistor molybdenit, ống nano cacbon transistor hiệu ứng trường, gallium nitride transistor, transistor giống như các thiết bị điện tử dây nano, hữu cơ transistor hiệu ứng trường, vv